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MOSFET 器件內部結構的橫截面圖

時間:2020-12-01 00:02來源:海獵人

 2. 場效應晶體管

場效應晶體管(FET)與BJT的不同之處在于,FET使用電壓而不是電流來控制通過器件的電流大小。FET有三個極,分別稱作漏極 、源極 和柵極 。柵極上微小的電壓變化控制漏極和源極之間的電流大小。和BJT器件類似,FET也有N型和P型的區別,它有一種變化類型MOSFET,是以金屬氧化物半導體(MOS)為基礎的。圖A-55展示了MOSFET器件內部結構的橫截面圖。

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 A-55 MOSFET 器件內部結構的橫截面圖

從源極至漏極的電流是流過FET的主要電流,它的大小由柵極上的電壓決定。柵極電壓調節載流子(空穴和電子)在源極和漏極之間運動的能力。從這個意義上講,FET類似于真空管,事實上,有些類型的使用高電壓FET器件的真空管已經有了替換的固態元件。

FET還廣泛用作信號和功率的開關。處于 狀態的FET(完全可導電)對電流產生的電阻很小。模擬信號多路復用芯片,例如模擬器件公司生產的ADG506A,使用CMOS器件(一種FET)選擇輸入信號。每條通道的 狀態電阻為約280 Ω

關于功率控制的其他應用包括使用大功率MOSFET來控制電池輸出的直流功率。通過使用 狀態電阻較低的晶體管,就可以免去繼電器的使用。IRF710是一種TO-220類型封裝的功率MOSFET。它的 狀態電阻為3.6 Ω,可以達到約36 W的功耗。

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